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深圳市英尚微电子有限公司
主营：netsol,ipus,SRAM,MRAM,pSRAM,everspin - 13751192923
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主营：netsol,ipus,SRAM,MRAM,pSRAM,everspin
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高速sram存储器 S6R4016C1A SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，功耗较小，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。 Density Org. Part number Vdd(V) Access Time Package 32Mb 4Mx8 S6R3208W1M 1.65~3.6 8/10/12/15ns 48FBGA 32Mb 2Mx16 S6R3216W1M 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 48FBGA 16Mb 2Mx8 S6R1608W1M 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 44TSOP2 48FBGA 16Mb 2Mx8 S6R1608V1M 3.3V 8/10ns 44TSOP2 48FBGA 16Mb 2Mx8 S6R1608C1M 5V 10ns 44TSOP2 48FBGA 16Mb 1Mx16 S6R1616W1M 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 48TSOP1 48FBGA 16Mb 1Mx16 S6R1616V1M 3.3V 8/10ns 48TSOP1 48FBGA 16Mb 1Mx16 S6R1616C1M 5V 10ns 48TSOP1 48FBGA 8Mb 1Mx8 S6R8008W1A 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 44TSOP2 48FBGA 8Mb 1Mx8 S6R8008C1A 5V 10ns 44TSOP2 48FBGA 8Mb 512Kx16 S6R8016W1A 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 44TSOP2 48FBGA 8Mb 512Kx16 S6R8016C1A 5V 10ns 44TSOP2 48FBGA 4Mb 512Kx8 S6R4008W1A 1.65~3.6 8/10/12/15ns 44TSOP2 36FBGA 4Mb 512Kx8 S6R4008V1A 3.3V 8/10ns 44TSOP2 36FBGA 4Mb 512Kx8 S6R4008C1A 5V 10ns 44TSOP2 36FBGA 4Mb 256Kx16 S6R4016W1A 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 44TSOP2 48FBGA 4Mb 256Kx16 S6R4016V1A 3.3V 8/10ns 44TSOP2 48FBGA 4Mb 256Kx16 S6R4016C1A 5V 10ns 44TSOP2 48FBGA 2Mb 256Kx8 S6R2008W1A 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 44TSOP2 36FBGA 2Mb 256Kx8 S6R2008V1A 3.3V 8/10ns 44TSOP2 36FBGA 2Mb 256Kx8 S6R2008C1A 5V 10ns 44TSOP2 36FBGA 2Mb 128Kx16 S6R2016W1A 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 44TSOP2 48FBGA 2Mb 128Kx16 S6R2016V1A 3.3V 8/10ns 44TSOP2 48FBGA 2Mb 128Kx16 S6R2016C1A 5V 10ns 44TSOP2 48FBGA 1Mb 128Kx8 S6R1008W1A 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 32sTSOP1 36FBGA 1Mb 128Kx8 S6R1008C1A 5V 10ns 32sTSOP1 36FBGA 1Mb 64Kx16 S6R1016C1A 5V 10ns 44TSOP2 48FBGA 1Mb 64Kx16 S6R1016W1A 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 44TSOP2 48FBGA 1Mb 64Kx16 S6R1016V1A 3.3V 8/10ns 44TSOP2 48FBGA 1Mb 128Kx8 S6R1008V1A 3.3V 8/10ns 32sTSOP1 36FBGA